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半導體參數分析儀
半導體參數分析儀
（Semiconductor Parameter Analyzer）
儀器概覽
HP4145B 半導體參數分析儀為高精度量測儀器，用於分析與評估各類半導體元件的電性特性。 可進行 I–V（電流–電壓） 與 C–V（電容–電壓） 測試，協助研究人員全面掌握元件特性，應用於研發、製程驗證與品質控管等領域。
🎯 一、目的與應用（Objective and Applications）
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半導體元件 I–V 與 C–V 特性量測
評估電晶體、二極體、感測元件等的基本電性行為。
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閾值電壓與次臨界斜率分析（Threshold Voltage & Subthreshold Slope）
用於MOS元件導通特性與開關效率的提取。
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漏電流與崩潰電壓測試（Leakage Current & Breakdown Voltage）
評估元件在高壓或高溫條件下的穩定性與可靠度。
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電晶體參數分析（Transistor Parameter Analysis）
包含遷移率（Mobility）、跨導（Transconductance）等重要特性。
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元件可靠度與品質驗證（Device Reliability & Quality Control）
應用於新製程驗證、產品良率分析及長期穩定性測試。
⚙️ 二、機台原理（Principle）
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偏壓施加（Bias Application）
由分析儀對被測元件（Device Under Test, DUT）施加精確控制的電壓或電流。
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訊號量測（Signal Measurement）
即時量測元件的電流或電壓響應，並以高精度方式記錄數據。
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數據處理（Data Processing）
系統自動生成 I–V 或 C–V 曲線，進一步解析元件的臨界電壓、電導率、電容變化與其他關鍵半導體參數。
