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蒸鍍系統

濺鍍系統 (Evaporation Deposition System)

儀器概覽


濺鍍設備

濺鍍(Sputtering)是一種物理氣相沉積技術(PVD),利用氬離子轟擊靶材,使靶材原子被動能擊出並沉積於基板表面形成薄膜。此技術能在較低溫下製作高密度、高附著力的薄膜,常用於半導體、光電與磁性元件製程中。


主要應用與功能

  • 半導體製程: 沉積金屬導線與電極層,用於晶片導通與互連結構。
  • 光電與太陽能元件: 製作透明導電層、反射層或吸收層,用於光電偵測器與太陽能電池。
  • 磁性元件製程: 製作磁性薄膜,用於資料儲存與感測元件。
  • 微機電系統(MEMS): 形成導電或保護層,提高微結構的耐用性與導電性能。

工作原理

  1. 真空腔體與氬氣引入: 將樣品置於真空腔中,引入氬氣形成低壓環境。
  2. 等離子體產生: 施加電壓後,氬氣被電離產生氬離子(Ar⁺)與電子。
  3. 靶材濺射: 氬離子在電場作用下轟擊靶材表面,使靶材原子脫離並向上沉積於基板。
  4. 薄膜成長: 透過基板加熱與旋轉控制,薄膜可均勻沉積並形成緻密結構。

DC 與 RF 濺鍍技術比較

以下表格比較了 DC 濺鍍 (Direct Current Sputtering)RF 濺鍍 (Radio Frequency Sputtering) 的主要特性與應用差異:

特性 DC 濺鍍 (直流濺鍍) RF 濺鍍 (射頻濺鍍)
適用材料 導電金屬(如 Cu、Al) 導電或非導電材料(如氧化物、氮化物)
原理 直流電場使離子轟擊靶材並濺射出原子 射頻電場激發離子轟擊靶材並釋放原子
沉積速率 相對較低
薄膜均勻性與品質 均勻、附著力良好 高品質、可控制成分與密度
限制 無法鍍非導電材料 沉積速率較慢
主要應用 金屬電極、導線互連層 氧化物膜、氮化物膜、光電薄膜